RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
36
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
17.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
3773
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Corsair CMX16GX3M4A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link