RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
38
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2595
2429
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB RAM-Vergleiche
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link