RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Gesamtnote
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gesamtnote
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
37
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2595
3637
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB RAM-Vergleiche
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link