RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
35
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
5.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2726
1758
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link