RAM-Vergleich Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Gesamtnote

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

26 31

Rund um 16% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.5 13.9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.5 9.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 12800

Rund um 2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2432 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns