RAM-Vergleich Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Gesamtnote

Kingston KVR533D2N4 512MB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB

Gründe für die Berücksichtigung
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

37 75

Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16 1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.6 1,672.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 4200

Rund um 4.57 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston KVR533D2N4 512MB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

301 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns