RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
75
Rund um -159% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
1,672.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
4200
Rund um 4.05 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,943.5
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,672.1
9.6
Speicherbandbreite, mbps
4200
17000
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
301
2443
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM-Vergleiche
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link