RAM-Vergleich Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Gesamtnote

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 121

Rund um -348% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

10.7 2.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.4 2.2

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

425 1444

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns