RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
33
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2622
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link