RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
15.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1425
3419
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM-Vergleiche
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link