RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
85
Rund um 66% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
85
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
6.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1425
1118
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM-Vergleiche
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link