RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
43
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2422
3106
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link