RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
61
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
8.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
2025
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link