RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
58
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2968
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link