RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
58
64
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
2,107.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2052
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link