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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
40
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
9.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2204
2389
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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