RAM-Vergleich Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Gesamtnote

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

36 37

Rund um 3% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.8 15

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

13.5 11.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 21300

Rund um 1.2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2664 3075

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns