RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
51
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3126
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link