RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
51
Rund um -155% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
15.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3217
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link