RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
51
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
20.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
4029
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link