RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
51
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2398
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link