RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
51
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2946
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link