RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
51
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3757
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link