RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
60
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1335
2554
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link