RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gesamtnote
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
41
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1335
2927
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link