RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB vs Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
26
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
3244
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link