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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
32
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2301
2714
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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