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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
38
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
10.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2301
2394
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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