RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
51
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1982
2687
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link