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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
6.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1952
1775
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
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SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
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