RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
26
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
15.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1952
3774
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB RAM-Vergleiche
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link