RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
94
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
94
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
1699
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link