RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2418
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link