RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2537
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link