RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
92
Rund um -384% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.4
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
14.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
3066
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL9 Series-XP 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link