RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
92
Rund um -217% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
10.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2891
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link