RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
92
Rund um -241% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
12.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
3158
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link