RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
92
Rund um -188% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
14.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
3149
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link