RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
92
Rund um -84% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
10.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2512
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link