RAM-Vergleich Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Gesamtnote

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

34 36

Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.3 14.9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.5 9.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 12800

Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2292 3606

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns