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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
36
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
3012
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
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