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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
36
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
2516
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
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