RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
36
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
2888
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link