RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,077.3
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
61
Rund um -177% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,835.2
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,077.3
13.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
606
3051
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link