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Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
874.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
81
Rund um -161% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
81
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,885.7
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
874.3
8.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
277
2354
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