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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
54
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
15.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3666
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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