RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
54
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
14.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3278
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link