RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
54
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
6.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
1832
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link