RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
72
79
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
79
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
7.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
1651
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM-Vergleiche
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link