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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
72
Rund um -95% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
11.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
3001
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905599-026.A00G 8GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
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